参加者の集合写真
MBE国際会議は2年に1度開催され、19回目にあたる今回はフランス・モンペリエで開催された。過去にはドイツ・ベルリン、日本・奈良など世界各地で開催され、次回は中国・上海で開催予定である。
本会議は分子線エピタキシー法（MBE）という半導体の結晶成長法を用いた研究に関する会議である。発表内容は半導体の新たな物性の発見や半導体ナノ構造の作製手法の提案、光学デバイスへの応用手法の提案など、基礎研究から応用研究まで多岐にわたる。
159件の口頭発表、145件ものポスター発表が行われ、多くの研究者が交流する大規模かつ活況のある国際会議となった。
本会議において “Growth of InN/GaN Dots on 4H-SiC(0001) 4°off Vicinal Substrates” という題目でポスター発表を行った。
InN/GaN量子ドットはそのサイズを変えることにより、光吸収端波長を幅広く変えることができ、太陽電池やレーザーダイオードなど様々な光デバイスへの応用が期待される。これらの応用のためには量子ドットを規則正しく並べ、多層堆積させた量子ドット超格子構造を作製する必要があるが、通常、自己組織化量子ドットは基板上のランダムな位置に形成されてしまい、規則的に配列させることができない。そこで我々はドットを配列させるために、4H-SiC(0001)微傾斜基板上に、テラスが平坦なGaNマルチステップ構造を作製し、その上にInNを堆積させることでステップ端に沿ってInNドットを配列形成させることに成功した。加えてドットのサイズ、密度についてInNの堆積量依存性、成長温度依存性を調べることで、ドットのパラメータを制御できる可能性を示した。
以上の発表に関して多くの研究者と議論を行い、今後の研究に活かせる新たな知見を得ることができた。
上記の内容での発表を行った結果、さまざまなご指摘をいただくことができ、自分の研究に対する理解を深めるとともに、新しい視点からのアプローチ方法を得ることができた。また最新の研究発表を聞くことで、世界で行われている研究の最新動向を知ることができ、モチベーションを高めることもできた。
世界中から集まった研究者との交流にあたっては、国際舞台における英語でのコミュニケーション能力の重要性を強く実感し、文化や言語の異なる人と交流することの難しさと面白さを知ることができた。円滑なコミュニケーションのために英語能力の強化は今後の課題としたい。
私にとって今回の国際学会が初の海外渡航であり、異文化に触れ、様々な国の人と交流を持てたことは研究に対してだけでなく、人生にとっても非常に大きな刺激となり、貴重な経験となった。
今回のMBE 2016参加に際して、多大な御支援を賜りました一般財団法人丸文財団に深く感謝申し上げます。
